ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modul IGCT Papan Inverter
Penerangan
| pembuatan | ABB |
| Model | 5SHY4045L0001 |
| Maklumat pesanan | 3BHB018162 |
| Katalog | Alat Ganti VFD |
| Penerangan | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modul IGCT Papan Inverter |
| asal usul | Amerika Syarikat (AS) |
| Kod HS | 85389091 |
| Dimensi | 16cm*16cm*12cm |
| Berat badan | 0.8kg |
Butiran
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ialah produk thyristor tukar-pintu bersepadu (IGCT) ABB, milik siri 5SHY.
IGCT ialah jenis peranti elektronik baharu yang muncul pada akhir 1990-an.
Ia menggabungkan kelebihan IGBT (transistor bipolar get terlindung) dan GTO (thyristor turn-off gate), dan mempunyai ciri-ciri kelajuan pensuisan yang pantas, kapasiti besar, dan kuasa pemanduan yang besar diperlukan.
Khususnya, kapasiti 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 adalah bersamaan dengan GTO, tetapi kelajuan pensuisannya adalah 10 kali lebih pantas daripada GTO, yang bermaksud bahawa ia boleh menyelesaikan tindakan pensuisan dalam masa yang lebih singkat dan dengan itu meningkatkan kecekapan penukaran kuasa.
Di samping itu, berbanding dengan GTO, IGCT boleh menjimatkan litar snubber yang besar dan rumit, yang membantu memudahkan reka bentuk sistem dan mengurangkan kos.
Walau bagaimanapun, perlu diingat bahawa walaupun IGCT mempunyai banyak kelebihan, kuasa pemanduan yang diperlukan masih besar.
Ini boleh meningkatkan penggunaan tenaga dan kerumitan sistem. Di samping itu, walaupun IGCT cuba menggantikan GTO dalam aplikasi berkuasa tinggi, ia masih menghadapi persaingan sengit daripada peranti baharu yang lain (seperti IGBT)
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistor terubah get bersepadu|GCT (Transistor tertukar Gerbang Bersepadu) ialah peranti semikonduktor kuasa baharu yang digunakan dalam peralatan elektronik kuasa gergasi yang dikeluarkan pada tahun 1996.
IGCT ialah peranti suis semikonduktor berkuasa tinggi baharu berdasarkan struktur GTO, menggunakan struktur get bersepadu untuk pemacu keras pintu, menggunakan struktur lapisan tengah penimbal dan teknologi pemancar lutsinar anod, dengan ciri-ciri pada keadaan thyristor dan ciri-ciri pensuisan transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 menggunakan struktur penimbal dan teknologi pemancar cetek, yang mengurangkan kehilangan dinamik sebanyak kira-kira 50%.
Di samping itu, peralatan jenis ini juga menyepadukan diod freewheeling dengan ciri dinamik yang baik pada cip, dan kemudian merealisasikan gabungan organik penurunan voltan pada keadaan rendah, voltan menyekat tinggi dan ciri pensuisan stabil thyristor dengan cara yang unik.
